SI4463CDY-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 160 ֏

от 10 шт. — 890 ֏

от 100 шт. — 680 ֏

от 500 шт. — 520 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 160 ֏

Номенклатурный номер: 8006221372

Unclassified

Описание Транзистор силовой полевой

Id - непрерывный ток утечки	18.6 A
Pd - рассеивание мощности	5 W
Qg - заряд затвора	108 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	600 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	11 ns
Высота	1.75 mm
Длина	4.9 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	60 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	70 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	SO-8
Ширина	3.9 mm
Вес, г	0.5066