IKFW50N65EH5XKSA1, IGBTs Y
![IKFW50N65EH5XKSA1, IGBTs Y](https://static.chipdip.ru/lib/484/DOC035484046.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 300 ֏
от 10 шт. —
8 400 ֏
от 25 шт. —
7 600 ֏
от 100 шт. —
6 100 ֏
1 шт.
на сумму 10 300 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 59А |
Power Dissipation | 124Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKFW50N65EH5XKSA1
pdf, 1511 КБ