SSM6L35FE,LM, MOSFET Small Signal MOSFET
![SSM6L35FE,LM, MOSFET Small Signal MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/525/DOC006525718.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6448 шт., срок 5-8 недель
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 180 mA, 100 mA |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 Ohms, 44 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.55 mm |
Длина | 1.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | SSM6L35 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | ES6-6 |
Ширина | 1.2 mm |
Вес, г | 0.0082 |
Техническая документация
Datasheet SSM6L35FE.LM
pdf, 361 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг