IXTP08N100P, MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
![Фото 1/3 IXTP08N100P, MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/847/DOC004847212.jpg)
3 030 ֏
от 10 шт. —
2 320 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 030 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,8А, 42Вт, TO220-3, 750нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
Pd - рассеивание мощности | 42 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 37 ns |
Время спада | 34 ns |
Высота | 9.15 mm |
Длина | 10.66 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXTP08N100 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 35 ns |
Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.83 mm |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet IXTP08N100P
pdf, 256 КБ