2SC2713-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

58177 шт., срок 7-9 недель

357 ֏

1 шт. на сумму 357 ֏

Номенклатурный номер: 8006223960

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	700 at 2 mA at 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SC2713
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TO-236-3
Вес, г	1