IXTP80N075L2, MOSFETs MSFT N-CH LINEAR L2
![Фото 1/2 IXTP80N075L2, MOSFETs MSFT N-CH LINEAR L2](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
9 000 ֏
от 10 шт. —
7 300 ֏
от 50 шт. —
6 200 ֏
от 100 шт. —
5 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 000 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 357Вт, TO220-3, 160нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Pd - рассеивание мощности | 357 W |
Qg - заряд затвора | 103 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 12 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | LinearL2 |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 24 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 40 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 80A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 40A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Linear L2в„ў -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
Вес, г | 5 |