IXFH10N80P, MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 200 ֏

от 30 шт. — 3 690 ֏

от 120 шт. — 3 420 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 200 ֏

Номенклатурный номер: 8006226095

Unclassified

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3 Характеристики

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.1Ом
Power Dissipation	300Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	Polar HiPerFET
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	10А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5.5В
Рассеиваемая Мощность	300Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.1Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1