IXFN50N120SK, Discrete Semiconductor Modules SiC Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
88 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 88 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Источник питания переменного/постоянного токаИсточник питания переменного/постоянного тока от компании Littelfuse часто используется в электронных устройствах. Компоненты этих блоков питания должны быть надежными и долговечными, и компания Littelfuse предлагает ряд продуктов, отвечающих этим требованиям. Этот портфель компонентов охватывает защиту от перегрузки по току и перенапряжению, силовой каскад и защиту выхода. Типичные области применения источников питания переменного/постоянного тока Littelfuse включают автомобильную, солнечную, промышленную, производственную и другие области.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Packaging: | Tube |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Вес, г | 64 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 208 КБ
