SI1443EDH-T1-GE3, MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC70-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 ֏
от 10 шт. —
540 ֏
от 100 шт. —
272 ֏
от 1000 шт. —
170 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор -30V Vds 12V Vgs SC70-6
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 43 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 220 ns |
| Время спада | 435 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.1 mm |
| Другие названия товара № | SI1443EDH-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 1115 ns |
| Типичное время задержки при включении | 125 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Base Product Number | SI1443 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 4.3A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchFETВ® -> |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet SI1443EDH-T1-GE3
pdf, 264 КБ
Datasheet SI1443EDH-T1-GE3
pdf, 265 КБ
