IXFK64N60P3, MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
![Фото 1/4 IXFK64N60P3, MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880064.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529484.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC023452954.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC034307313.jpg)
18 400 ֏
от 10 шт. —
16 300 ֏
от 25 шт. —
13 200 ֏
от 100 шт. —
11 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 400 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, Polar3™, полевой, 600В, 64А, 1130Вт, TO264 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 64 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.13 kW |
Qg - заряд затвора | 145 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 95 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 17 ns |
Время спада | 11 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S, 36 S |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXFK64N60 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 64 A |
Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.13 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-264 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
Width | 5.13mm |
Вес, кг | 7.14 |