IXFK26N120P, MOSFETs 26 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
45 000 ֏
от 10 шт. —
36 300 ֏
от 25 шт. —
31 500 ֏
от 50 шт. —
30 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 45 000 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 26А, 960Вт, TO264 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 460 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 960 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-264 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 225 nC @ 10 V |
| Width | 5.13mm |
| Вес, г | 77 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFK26N120P
pdf, 116 КБ
