TK7J90E,S1E, MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 шт., срок 6-9 недель

3 200 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 200 ֏

Номенклатурный номер: 8006230479

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

Id - непрерывный ток утечки	7 A
Pd - рассеивание мощности	200 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	900 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	20 ns
Время спада	15 ns
Высота	20 mm
Длина	15.5 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MOSVIII
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	25
Серия	TK7J90E
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	85 ns
Типичное время задержки при включении	55 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PN-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	7