RGT8NS65DGC9, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
974 шт., срок 7-9 недель
2 690 ֏
от 10 шт. —
2 030 ֏
от 100 шт. —
1 590 ֏
от 250 шт. —
1 470 ֏
1 шт.
на сумму 2 690 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 8А |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGT8NS65DGC9
pdf, 894 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
