IRFP450APBF, MOSFETs 500V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 450 ֏
от 10 шт. —
3 740 ֏
от 25 шт. —
3 070 ֏
от 100 шт. —
2 570 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 450 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8,7А, 190Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 14 А |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Максимальное рассеяние мощности | 190 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.31мм |
| Высота | 20.7мм |
| Размеры | 15.87 x 5.31 x 20.7мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 15.87мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 15 нс |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 400 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 64 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2038 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2038pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 8.4A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Время | задержки включения/выключения-36/29 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Емкость, пФ | 2038 |
| Заряд затвора, нКл | 64 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 500 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 14 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 400 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-190 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В |
| Описание | N-Channel 500 V 14A(Tc)190W(Tc)Through Hole TO-247AC |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Ток утечки | непрерывный(Id)-14 А |
| Упаковка | TUBE, 25 шт. |
| Вес, кг | 8.56 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 305 КБ
IRFP450 datasheet
pdf, 169 КБ
IRFP450A Datasheet
pdf, 101 КБ
Документация
pdf, 316 КБ
Datasheet IRFP450A, SiHFP450A
pdf, 332 КБ
