SI4116DY-T1-GE3, MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 560 ֏

от 10 шт. — 1 340 ֏

от 100 шт. — 960 ֏

от 500 шт. — 740 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 560 ֏

Номенклатурный номер: 8006233223

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0071Ом
Power Dissipation	5Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	25В
Непрерывный Ток Стока	18А
Пороговое Напряжение Vgs	600мВ
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.187