IXTH80N20L, MOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
![IXTH80N20L, MOSFETs Standard Linear Power MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 600 ֏
от 10 шт. —
15 600 ֏
от 30 шт. —
12 700 ֏
от 60 шт. —
11 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 600 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Standard Linear Power МОП-транзисторs
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Pd - рассеивание мощности | 520 W |
Qg - заряд затвора | 180 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 32 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 44 ns |
Время спада | 29 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXTH80N20 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 72 ns |
Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 897 |