IXTT100N25P, MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 000 ֏
от 30 шт. —
12 000 ֏
от 60 шт. —
10 800 ֏
от 120 шт. —
10 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 000 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 100 Amps 250V 0.027 Rds
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Qg - заряд затвора | 185 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 26 ns |
| Время спада | 28 ns |
| Высота | 5.1 mm |
| Длина | 14 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PolarHT |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTT100N25 |
| Технология | Si |
| Тип | PolarHT Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Ширина | 16.05 mm |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 270 КБ
