IKW40N65RH5XKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 400 ֏
от 10 шт. —
6 100 ֏
от 25 шт. —
5 500 ֏
от 100 шт. —
4 410 ֏
1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Unclassified
The Infineon schottky barrier diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 74А |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKW40N65RH5XKSA1
pdf, 1559 КБ
