IXFK80N50P, MOSFETs 500V 80A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 100 ֏
от 25 шт. —
19 300 ֏
от 100 шт. —
16 800 ֏
от 250 шт. —
15 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 100 ֏
Описание
Unclassified
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFETМощные МОП-транзисторы Polar™ Polar™ Мощные МОП-транзисторы сочетают в себе сильные стороны семейства Polar Standard с более быстрым корпусным диодом. Время обратного восстановления более быстрых корпусных диодов (t rr ) уменьшено, что делает их подходящими для управления двигателями с помощью фазосдвигающих мостов и источников бесперебойного питания (ИБП). Это семейство полевых МОП-транзисторов обеспечивает самое низкое значение R DS(on), низкое значение R thJC, низкую добротность g и улучшенные характеристики dv/dt.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 197 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
| Rise Time: | 27 ns |
| Series: | IXFK80N50 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 906 |
Техническая документация
Datasheet IXFX80N50P
pdf, 273 КБ
