IRFU320PBF, MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 740 ֏
от 10 шт. —
1 120 ֏
от 100 шт. —
860 ֏
от 500 шт. —
720 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 740 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 2А, 42Вт, IPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1800 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum IDSS (uA) | 25 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-251 |
Supplier Package | IPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 13 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350 25V |
Typical Rise Time (ns) | 14 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Drain Source On State Resistance | 1.8Ом |
Power Dissipation | 42Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 400В |
Непрерывный Ток Стока | 3.1А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 42Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.8Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251AA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.1A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Packaging | Tube |
Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-251AA |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 92 |