IXTQ22N50P, MOSFETs 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 100 ֏
от 30 шт. —
5 500 ֏
от 120 шт. —
4 400 ֏
1 шт.
на сумму 8 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, 500В, 22А, 350Вт, TO3P, 400нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.27Ом |
| Power Dissipation | 350Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Polar |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 22А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
| Вес, г | 5.293 |
