SI4202DY-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 690 ֏
от 10 шт. —
1 340 ֏
от 100 шт. —
970 ֏
от 500 шт. —
770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 690 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0115Ом |
Power Dissipation | 3.7Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 12.1А |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5066 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 184 КБ