IRFP260PBF, MOSFETs 200V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 200 ֏
от 10 шт. —
4 450 ֏
от 25 шт. —
3 760 ֏
от 100 шт. —
3 190 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 200 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 29А, 280Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 46 A |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Qg - заряд затвора | 230 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.82 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IRFP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Base Product Number | IRFP260 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 280W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 28A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Series | - |
| Вес, г | 9 |
Техническая документация
Datasheet IRFP260PBF
pdf, 1793 КБ
Datasheet IRFP260PBF
pdf, 1779 КБ
IRFP260 Datasheet
pdf, 168 КБ
Документация
pdf, 1792 КБ
Datasheet IRFP260, SiHFP260
pdf, 1793 КБ
