IXYA20N120C4HV, IGBTs TO263 1200V 20A XPT

Фото 1/2 IXYA20N120C4HV, IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 100 ֏
от 50 шт.4 760 ֏
от 100 шт.4 380 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 100 ֏
Номенклатурный номер: 8006238429
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 4TH GENERATION GENX4

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 375 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение XPT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 68 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 120 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 50
Серия Trench - 650V - 1200V GenX40
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263HV-3
Current - Collector (Ic) (Max) 68A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
ECCN EAR99
Gate Charge 44nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type PT
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 375W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 53ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series GenX4в„ў, XPTв„ў ->
Supplier Device Package TO-263HV
Switching Energy 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 14ns/160ns
Test Condition 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet IXYA20N120C4HV
pdf, 2310 КБ