MDD56-12N1B, Discrete Semiconductor Modules 56 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 000 ֏
от 10 шт. —
27 700 ֏
от 25 шт. —
25 900 ֏
от 36 шт. —
23 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Дискретные полупроводниковые модули 56 Amps 1200V
Технические параметры
Vf - прямое напряжение | 1.48 V |
Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Вид монтажа | Screw Mount |
Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
Конфигурация | Bridge, 1-Phase |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
Продукт | Power Semiconductor Modules |
Размер фабричной упаковки | 36 |
Серия | MDD56 |
Тип | High Current Diode Modules |
Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-240 AA |
Diode Configuration | Series |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Rectifier |
Maximum Continuous Forward Current | 95A |
Maximum Forward Voltage Drop | 1.48V |
Mounting Type | Panel Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | TO-240AA |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
Pin Count | 3 |
Rectifier Type | General Purpose |
Вес, г | 90 |