TK7A65W,S5X, MOSFET Power MOSFET N-Channel
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
129 шт., срок 6-9 недель
2 050 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 050 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6.8 A |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 640 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 13 ns |
Время спада | 4 ns |
Высота | 15 mm |
Длина | 10 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | TK7A65W |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 52 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.5 mm |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet TK7A65W.S5X
pdf, 379 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг