NCP5106ADR2G, Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 520 ֏
от 10 шт. —
1 290 ֏
от 100 шт. —
900 ֏
от 500 шт. —
810 ֏
1 шт.
на сумму 1 520 ֏
Посмотреть аналоги3
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Технические параметры
| IC Case / Package | SOIC |
| Задержка Выхода | 100нс |
| Задержка по Входу | 100нс |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 2канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Минимальное Напряжение Питания | 10В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
| Ток истока | 250мА |
| Ток стока | 500мА |
| Вес, г | 0.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 124 КБ
