IXYH82N120C3, IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 700 ֏
от 10 шт. —
20 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1040 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.75 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 160 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 160 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXYH82N120 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1250 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 50kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 38 |
