IXTP120P065T, MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 300 ֏
от 10 шт. —
6 200 ֏
от 50 шт. —
4 630 ֏
от 100 шт. —
4 280 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -65В, -120А, 298Вт, 53нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | -120A |
| Drain-source voltage | -65V |
| Gate charge | 185nC |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 10mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 298W |
| Reverse recovery time | 53ns |
| Technology | TrenchP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 2.058 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 187 КБ
