IXTA52P10P, MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 000 ֏
от 10 шт. —
7 100 ֏
от 50 шт. —
5 700 ֏
от 100 шт. —
5 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 000 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 29 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTA52P10 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вес, г | 1.6 |
