IGW100N60H3, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 400 ֏

от 10 шт. — 9 500 ֏

от 25 шт. — 7 900 ֏

от 100 шт. — 6 200 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 400 ֏

Номенклатурный номер: 8006241422

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop

Pd - рассеивание мощности	714 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	SP000913772 IGW1N6H3XK IGW100N60H3FKSA1
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	140 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	HighSpeed 3
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Вес, г	6