RN1305,LF, Digital Transistors USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2910 шт., срок 6-9 недель
307 ֏
1 шт.
на сумму 307 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 100 мВт Поверхностный монтаж USM
Технические параметры
Base Product Number | TLBD1100 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power - Max | 100mW |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | USM |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1520 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг