SSM3J56ACT,L3F, MOSFET Nch MOSFET
27973 шт., срок 6-9 недель
409 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 409 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 1.4A 390mΩ@4.5V,800mA 500mW 1V@1mA 1PCSPChannel SOT-883-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.4A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 500mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 390mО© @ 800mA,4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 390mΩ@4.5V, 800mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Type | 1PCSPChannel |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J56ACT,L3F
pdf, 258 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
