IGW40N120H3, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
![Фото 1/2 IGW40N120H3, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806615.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769642.jpg)
7 400 ֏
от 10 шт. —
6 400 ֏
от 25 шт. —
5 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGW40N120H3 производства INFINEON относится к высокомощным IGBT транзисторам в корпусе PG-TO247-3, предназначенным для монтажа THT. Способен работать с током коллектора до 40 А и напряжением коллектор-эмиттер до 1200 В, что обеспечивает его мощностью в 483 Вт. Эти характеристики делают его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, включая преобразование энергии, управление двигателями и инверторные системы. Модель IGW40N120H3 обладает улучшенной эффективностью и надежностью, что значительно повышает производительность и долговечность вашего оборудования. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 40 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
Мощность, Вт | 483 |
Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.05 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IGW40N120H3FKSA1 IGW4N12H3XK SP000667510 |
Pd - Power Dissipation | 483 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | HighSpeed 3 |
Technology | Si |
Tradename | TRENCHSTOP |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Case | TO247-3 |
Collector current | 40A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer series | H3 |
Mounting | THT |
Power dissipation | 483W |
Semiconductor structure | single transistor |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet IGW40N120H3FKSA1
pdf, 1889 КБ