SSM6N7002KFU,LF, MOSFETs Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
503957 шт., срок 7-9 недель
295 ֏
1 шт.
на сумму 295 ֏
Описание
Unclassified
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 6-Pin US T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.3 |
Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1500@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Product Category | Small Signal |
Supplier Package | US |
Typical Fall Time (ns) | 17 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.39@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 26@10V |
Typical Rise Time (ns) | 3.6 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 38 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.5 |
Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 238 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг