TK5A80E,S4X, MOSFETs PWR MOS PD=40W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
304 шт., срок 6-9 недель
1 740 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 740 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор PWR MOS PD=40W F=1MHZ
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 15 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MOSVII |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | TK5A80E |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 80 ns |
Типичное время задержки при включении | 55 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet TK5A80E.S4X
pdf, 389 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг