IKW50N65F5FKSA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 800 ֏
от 10 шт. —
5 400 ֏
от 25 шт. —
4 100 ֏
от 100 шт. —
3 290 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор БТИЗ IKW50N65F5FKSA1 производства INFINEON - это высокомощный компонент для монтажа THT, предназначенный для широкого спектра применений в электронике. С током коллектора 80 А и напряжением коллектор-эмиттер в 650 В, этот транзистор может управлять значительными энергетическими нагрузками, обладая мощностью до 305 Вт. IGBT транзистор выполнен в надежном корпусе PG-TO247-3, что обеспечивает его долговечность и стабильность работы в различных условиях. Модель IKW50N65F5FKSA1 является идеальным выбором для сложных задач, где требуется высокая эффективность и надежность. Товар сочетает в себе передовые технологии INFINEON и качественное исполнение, что делает его предпочтительным вариантом для профессионалов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 80 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Мощность, Вт | 305 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 80(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 650(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | TO-247 |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 305 W |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
IKW50N65F5
pdf, 2183 КБ
Datasheet IKW50N65F5
pdf, 2247 КБ
