IXTY8N70X2, MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 090 ֏
от 10 шт. —
3 250 ֏
от 25 шт. —
2 960 ֏
от 70 шт. —
2 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 090 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 700V/8A Ultra Junct X2-Class МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Qg - заряд затвора | 12 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 28 ns |
Время спада | 24 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.8 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 70 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 53 ns |
Типичное время задержки при включении | 24 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet IXTY8N70X2
pdf, 331 КБ