IKZA75N65SS5XKSA1, IGBTs SIC DISCRETE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 300 ֏
от 10 шт. —
12 800 ֏
от 25 шт. —
11 700 ֏
от 50 шт. —
11 000 ֏
1 шт.
на сумму 15 300 ֏
Описание
Unclassified
Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 395Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1437 КБ
