IRFZ14PBF, MOSFETs 60V N-CH HEXFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 380 ֏
от 10 шт. —
1 070 ֏
от 100 шт. —
790 ֏
от 500 шт. —
620 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 380 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 7,2А, 43Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 50 ns |
| Время спада | 19 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.4 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 200 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 300 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1515 КБ
Datasheet
pdf, 1537 КБ
Datasheet IRFZ14PBF
pdf, 1665 КБ
Datasheet IRFZ14PBF
pdf, 1659 КБ
IRFZ14PBF Datasheet
pdf, 3367 КБ
Документация
pdf, 1659 КБ
Datasheet IRFZ14
pdf, 592 КБ
