IKW50N65RH5XKSA1, IGBT Transistors SIC DISCRETE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 800 ֏
от 10 шт. —
6 600 ֏
от 25 шт. —
5 800 ֏
от 100 шт. —
4 910 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon TRENCHSTOP5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM schottky barrier diode.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
| Maximum Power Dissipation | 305 W |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKW50N65RH5XKSA1
pdf, 1563 КБ
