IXTP86N20T, MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 600 ֏

от 10 шт. — 6 000 ֏

от 50 шт. — 5 100 ֏

от 100 шт. — 4 290 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 600 ֏

Номенклатурный номер: 8006248099

Unclassified

МОП-транзистор 86 Amps 200V 29 Rds

Id - непрерывный ток утечки	86 A
Pd - рассеивание мощности	480 W
Qg - заряд затвора	90 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	29 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	24 ns
Время спада	29 ns
Высота	16 mm
Длина	10.66 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	46 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXTP86N20
Технология	Si
Тип	Trench Gate Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	52 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Вес, г	2.3

Мы рекомендуем