SI4166DY-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 430 ֏

от 10 шт. — 1 120 ֏

от 100 шт. — 860 ֏

от 500 шт. — 710 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 430 ֏

Номенклатурный номер: 8006248545

Unclassified

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8

Id - непрерывный ток утечки	30.5 A
Pd - рассеивание мощности	6.5 W
Qg - заряд затвора	65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.75 mm
Длина	4.9 mm
Другие названия товара №	SI4166DY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	SO-8
Ширина	3.9 mm
Вес, г	0.187