IXFH44N50P, MOSFETs 500V 44A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 700 ֏
от 10 шт. —
12 200 ֏
от 30 шт. —
10 500 ֏
от 60 шт. —
10 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 700 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 44А, 658Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 650 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AD |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
Width | 5.3mm |
Case | TO247-3 |
Drain current | 44A |
Drain-source voltage | 500V |
Gate charge | 98nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.14Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 658W |
Reverse recovery time | 200ns |
Technology | HiPerFET™, Polar™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1 |