Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TK2Q60D(Q), MOSFETs N-Ch MOS 2A 600V 60W ...

TK2Q60D(Q), MOSFETs N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

471 шт., срок 7-9 недель

1 150 ֏

1 шт. на сумму 1 150 ֏

Номенклатурный номер: 8006249267

Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified

МОП-транзистор N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	2 A
Pd - рассеивание мощности	60 W
Qg - заряд затвора	7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	15 ns
Время спада	7 ns
Высота	7 mm
Длина	6.5 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	200
Серия	TK2Q60D
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	35 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	PW-Mold2-3
Ширина	2.3 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2 A
Maximum Drain Source Resistance	4.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	60 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PW Mold
Pin Count	3
Series	TK
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	7 nC @ 10 V
Width	2.3mm
Вес, г	4