IRFI9540GPBF, MOSFETs 100V P-CH HEXFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 180 ֏
от 10 шт. —
3 600 ֏
от 25 шт. —
3 150 ֏
от 100 шт. —
2 530 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 180 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -7,6А, 48Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFI |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6.6A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 3.5 |
