IXFH50N30Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 700 ֏
от 10 шт. —
13 200 ֏
от 30 шт. —
11 300 ֏
от 60 шт. —
10 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 700 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 50А, 690Вт, TO247-3, 250нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 690 W |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 250 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXFH50N30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3160pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 690W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 25A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HiPerFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
| Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet IXFH50N30Q3
pdf, 850 КБ
Datasheet IXFH50N30Q3
pdf, 850 КБ
