IXTX32P60P, MOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 400 ֏
от 10 шт. —
20 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 400 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -600В, -32А, 890Вт, 480нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Pd - рассеивание мощности | 890 W |
| Qg - заряд затвора | 196 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 33 ns |
| Высота | 21.34 mm |
| Длина | 16.13 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | PolarP |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 21 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTX32P60 |
| Технология | Si |
| Тип | PolarP Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 95 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PLUS-247-3 |
| Ширина | 5.21 mm |
| Вес, г | 7.3 |
Техническая документация
Datasheet IXTX32P60P
pdf, 143 КБ
