IXTK102N30P, MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
![IXTK102N30P, MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529485.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 300 ֏
от 10 шт. —
15 500 ֏
от 25 шт. —
12 400 ֏
от 50 шт. —
12 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 300 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 102 Amps 300V 0.033 Rds
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 102 A |
Pd - рассеивание мощности | 700 W |
Qg - заряд затвора | 224 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 28 ns |
Время спада | 30 ns |
Высота | 26.59 mm |
Длина | 20.29 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PolarHT |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 45 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXTK102N30 |
Технология | Si |
Тип | PolarHT Power MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 130 ns |
Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Ширина | 5.31 mm |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet IXTK102N30P
pdf, 220 КБ