SSM5N16FUTE85LF, MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8409 шт., срок 7-9 недель
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.9 mm |
Длина | 2 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SSM5N16FU |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 125 ns |
Типичное время задержки при включении | 70 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-353-5 |
Ширина | 1.25 mm |
Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet SSM5N16FUTE85LF
pdf, 156 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг